技術(shù)編號(hào):7049682
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及,包括以下步驟在砷化鎵襯底上依次制備N(xiāo)型限制層、N型波導(dǎo)層、多量子阱有源區(qū)、P型波導(dǎo)層、P型限制層和P型歐姆接觸層;在P型歐姆接觸層的上表面光刻出脊形臺(tái)面;在P型限制層的上方及兩側(cè)淀積二氧化硅絕緣層;在二氧化硅絕緣層的上表面光刻出引線孔,在脊形臺(tái)面中間的脊形結(jié)構(gòu)的上表面光刻出光柵結(jié)構(gòu);在二氧化硅絕緣層及帶有光柵結(jié)構(gòu)的脊形臺(tái)面的上表面制備上層P型電極;在砷化鎵襯底的下底面制備下層N型電極。本發(fā)明能夠減少有源區(qū)的載流子泄露,降低激光器的閾值電流,消除...
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