技術(shù)編號(hào)：7050505
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種，包括提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成第一氧化硅層、多晶硅層；在所述多晶硅層上形成第二氧化硅層，所述第二氧化硅層作為核心圖形層；在所述第二氧化硅層上依次形成抗反射層和光刻膠層，所述光刻膠層定義了核心圖形；以所述光刻膠層為掩膜對(duì)所述抗反射層和第二氧化硅層進(jìn)行刻蝕，將所述核心圖形的圖案轉(zhuǎn)移至所述第二氧化硅層上，所述多晶硅層上留下的第二氧化硅層具有垂直形貌，在所述留下的第二氧化硅層兩側(cè)形成具有垂直形貌的氮化硅層；以所述具有垂直形貌的氮化硅層為...
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