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技術(shù)編號：7050598

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本發(fā)明涉及一種生長在圖形化硅襯底上的半極性GaN薄膜，所述半極性GaN薄膜包括Si襯底以及在Si襯底的(001)晶面往Si襯底的(111)晶面朝向依次外延生長的AlN薄膜層、中間層和外延層。本發(fā)明還包括該GaN薄膜的制備方法，包括如下步驟將Si襯底進行蝕刻圖案處理、然后依次外延AlN層、中間層和外延層。本發(fā)明的生長在圖形化硅襯底上的半極性GaN薄膜及制備方法，具有質(zhì)量高、性能好、成本低等優(yōu)點。專利說明[0001]本發(fā)明涉及一種半極性GaN薄膜及其制備方法，...
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