技術(shù)編號(hào)：7050655
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造銅互連的無(wú)應(yīng)力電化學(xué)拋光工藝、無(wú)應(yīng)力拋光過(guò)程中形成的鉭或鈦的氧化物薄膜去除工藝和二氟化氙氣相刻蝕阻擋層鉭/氮化鉭或鈦/氮化鈦工藝的整合方法和裝置。首先，至少一部分硅片上鍍的銅被無(wú)應(yīng)力電化學(xué)拋光去除；其次，去除銅拋光過(guò)程中阻擋層表面形成的鉭或鈦的氧化物薄膜；最后，用二氟化氙氣相刻蝕把阻擋層鉭/氮化鉭或鈦/氮化鈦去除。該裝置由三個(gè)子系統(tǒng)組成無(wú)應(yīng)力電化學(xué)銅拋光系統(tǒng)、用刻蝕劑去除阻擋層表面鉭或鈦的氧化物的系統(tǒng)和去除阻擋層的二氟化氙氣相刻蝕系統(tǒng)。...
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