技術(shù)編號：7050772
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種，其中所述半導(dǎo)體器件，包括形成在硅襯底的表面之上并包括縱向MOSFET的有源單元區(qū)，形成在所述硅襯底的表面之上并從硅襯底的背面引出縱向MOSFET的漏極的漏極電極，在漏極電極之上形成的外部漏極端子，以及形成在所述有源單元區(qū)之上，以便至少沿著所述有源單元區(qū)之上的外部漏極端子的外周的三個側(cè)面與漏極電極相對并連接到縱向MOSFET的源極的源極電極。專利說明[0001]相關(guān)申請的交叉引用[0002]于2013年6月13日提交的日本專利申請?zhí)?013-12465...
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