技術(shù)編號(hào)：7051200
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。橫向擴(kuò)散的金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)包括半導(dǎo)體襯底，在襯底的頂表面中具有STI結(jié)構(gòu)；在STI結(jié)構(gòu)下方的漂移區(qū)域以及在STI結(jié)構(gòu)的相對(duì)側(cè)上的源極區(qū)域和漏極區(qū)域。柵極導(dǎo)體在STI結(jié)構(gòu)與源極區(qū)域之間的間隙之上的襯底上并且部分地疊置漂移區(qū)域。保形電介質(zhì)層在頂表面上并且在柵極導(dǎo)體上方形成臺(tái)面。保形電介質(zhì)層具有嵌入在其中的保形刻蝕停止層。接觸突起延伸通過電介質(zhì)層和刻蝕停止層，并且連接到源極區(qū)域、漏極區(qū)域和柵極導(dǎo)體。源極電極連接源極接觸突起，柵極電極連接?xùn)艠O接觸突起...
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