技術(shù)編號：7052118
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種。功率半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體本體，半導(dǎo)體本體具有橫向相互相鄰的有源區(qū)域和高壓外圍區(qū)域，高壓外圍區(qū)域橫向圍繞有源區(qū)域。該器件進(jìn)一步包括金屬化層，在半導(dǎo)體本體的正面上并且連接至有源區(qū)域；第一阻擋層，包括高熔點(diǎn)金屬或高熔點(diǎn)合金，在有源區(qū)域和金屬化層之間；以及第二阻擋層，覆蓋了外圍區(qū)域的至少一部分，第二阻擋層包括非晶的半絕緣材料。第一阻擋層和第二阻擋層部分地重疊并且形成重疊區(qū)域。重疊區(qū)域延伸在有源區(qū)域的整個周界之上。也提供了一種用于制造該功率半導(dǎo)體器...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。