技術(shù)編號：7052252
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體裝置具有第一半導(dǎo)體小片。第一互連結(jié)構(gòu)，諸如導(dǎo)電柱，其包括形成在導(dǎo)電柱之上的凸點，以及第二互連結(jié)構(gòu)形成在所述第一半導(dǎo)體小片的外圍區(qū)域。第二半導(dǎo)體小片布置在第一互連結(jié)構(gòu)和第二互連結(jié)構(gòu)之間的第一半導(dǎo)體小片之上。第二半導(dǎo)體小片的高度低于第一互連結(jié)構(gòu)的高度。第二半導(dǎo)體小片的占用空間小于第一半導(dǎo)體小片的中央?yún)^(qū)域。密封體沉積在第一半導(dǎo)體小片和第二半導(dǎo)體小片之上。備選地，第二半導(dǎo)體小片布置在包括多個互連結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝之上。實現(xiàn)來自單側(cè)FO-WLCSP的外部連通性而...
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