技術(shù)編號:7052965
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提出了一種垂直型LED結(jié)構(gòu)及其制作方法,在使用激光剝離去除生長襯底后,不再整面去除未摻雜層,僅在未摻雜層上形成溝槽并暴露出N-GaN,接著在溝槽內(nèi)的N-GaN上形成N型電極,從而借助未摻雜層的保護(hù),避免激光光斑交界對N-GaN造成損傷,從而減少芯片的漏電,提高芯片的光電轉(zhuǎn)換效率,增加發(fā)光亮度,并且將N型電極限制在溝槽內(nèi),能夠增加電極的牢固性。專利說明垂直型LED結(jié)構(gòu)及其制作方法 [0001] 本發(fā)明涉及LED制作領(lǐng)域,尤其涉及一種垂直型LED結(jié)...
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