技術(shù)編號：7053238
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本申請涉及薄膜晶體管及其制造方法以及電子設(shè)備。根據(jù)本技術(shù)的實施方式提供了一種薄膜晶體管，包括柵電極以及一對源電極和漏電極；以及半導體層，具有在其中形成的溝道，并且具有分別連接至所述一對源電極和漏電極的一對連接部，其中，所述一對連接部的相對面中的一者或者兩者為非平面。專利說明薄膜晶體管及其制造方法以及電子設(shè)備[0001]相關(guān)申請的交叉引用[0002]本申請要求于2013年7月19日遞交到日本專利局的JP2013-150413的優(yōu)先權(quán)，其中所述全部內(nèi)容通過引用...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。