技術(shù)編號(hào):7053257
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了,屬于半導(dǎo)體。所述外延片包括襯底、以及依次層疊在所述襯底上的低溫緩沖層、高溫緩沖層、N型層、有源層、電子阻擋層、P型層,所述電子阻擋層包括GaN層、以及依次層疊在所述GaN層上的至少兩層AlGaN層,所述至少兩層AlGaN層的Al組分含量沿所述外延片的生長方向逐層遞增或逐層遞減。本發(fā)明通過將電子阻擋層設(shè)置為包括GaN層和至少兩層AlGaN層,至少兩層AlGaN層的Al組分含量沿外延片的生長方向逐層遞增或遞減,使電子阻擋層能帶的能階高度分布情況變...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。