技術編號：7053870
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明為，涉及半導體器件制備。本發(fā)明包括步驟清潔SiC襯底表面，以激光在高真空、惰性氣體或惰性液體保護氛圍中，從襯底正面進行輻照或從襯底背面進行輻照，在SiC表面制備接觸層，得到歐姆接觸。本發(fā)明利用襯底SiC與激光相互作用后性能的改變，使電極材料沉積在襯底表面之后無需進一步熱處理就可直接得到歐姆接觸，簡化了工藝流程，避免了熱處理過程對接觸層性能的影響，為提高以SiC為襯底的半導體器件的質量提供技術支持。專利說明 [0001]本發(fā)明涉及半導體器件制備，...
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