技術(shù)編號:7055396
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種具有窄間距TSV構(gòu)造的。絕緣部(5)由填充在半導(dǎo)體基板(1)的厚度方向上所形成的槽或孔的內(nèi)部(121)的絕緣物構(gòu)成。柱狀導(dǎo)體(311~316)被填充在以窄間距(d1、d2)配置在絕緣部(5)的面內(nèi)且在厚度方向上延伸的槽或孔的內(nèi)部。專利說明 [0001]本發(fā)明涉及適用了 TSV(Through-Silicon-Via)技術(shù)的。更具體地說,涉及適用了窄間距TSV形成技術(shù)的。 背景技術(shù) [0002]在適用TSV(Through-Silicon-Vi...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。