技術(shù)編號：7056020
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及互補式金屬氧化物半導體相容晶圓鍵合層與工藝，揭露一種晶圓鍵合層及使用晶圓鍵合層鍵合晶圓的晶圓鍵合工藝。該晶圓鍵合工藝包含設(shè)置第一晶圓，設(shè)置第二晶圓，及設(shè)置晶圓鍵合層。該晶圓鍵合層是分開設(shè)置在第一和第二晶圓的接觸表面層，而成為CMOS相容工藝配方的一部份。專利說明互補式金屬氧化物半導體相容晶圓鍵合層與工藝 [0001 ] 本案關(guān)于一種晶圓鍵合層與晶圓鍵合工藝。 背景技術(shù) [0002]近年來由于3-D芯片技術(shù)上的創(chuàng)新，裸片及晶圓集成(在下文...
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