技術(shù)編號(hào)：7056201
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種，包括步驟S01在一半導(dǎo)體襯底上依次沉積介電阻擋層以及含有致孔劑的低介電常數(shù)層；步驟S02對(duì)低介電常數(shù)層表面進(jìn)行氧氣等離子體處理；步驟S03去除氧化層；步驟S04去除致孔劑；步驟S05在處理后的低介電常數(shù)層表面依次形成介電阻擋層以及金屬硬質(zhì)掩膜層。本發(fā)明提供的中，通過(guò)去除低介電常數(shù)層表面的氧化層，可以提高去除致孔劑的效率，在紫外線處理或加熱處理過(guò)程中，使得低介電常數(shù)層中的有機(jī)物被充分分解，從而得到較低的低介電常數(shù)。此外，通過(guò)去除氧化層可以避免...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。