技術編號：7056861
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及，該半導體結(jié)構(gòu)包括分離柵極非易失性記憶體單元和高電壓電晶體。非易失性記憶體單元包括有源區(qū)、設于有源區(qū)上面的非易失性記憶體堆迭、設于記憶體堆迭上面的控制柵極電極、至少部分設于有源區(qū)上面毗連于記憶體堆迭的選擇柵極電極、以及選擇柵極絕緣層。高電壓電晶體包括有源區(qū)、柵極電極、以及設于有源區(qū)與柵極電極之間的柵極絕緣層。非易失性記憶體裝置的選擇柵極絕緣層以及高電壓電晶體的柵極絕緣層至少部分由相同的高k電介材料構(gòu)成。非易失性記憶體裝置的選擇柵極電極以及高電壓電...
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