技術(shù)編號：7057196
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種橫向SOI功率LDMOS器件，屬于半導體功率器件。器件包括襯底、介質(zhì)埋層及其上的半導體有源層，半導體有源層中形成槽型輔助積累結(jié)構(gòu)，槽型輔助積累結(jié)構(gòu)兩側(cè)為漂移區(qū)。槽型輔助積累結(jié)構(gòu)由兩層槽型隔離介質(zhì)中間夾一層半導體高阻區(qū)形成，半導體高阻區(qū)中形成集成二極管。本發(fā)明在器件開態(tài)時，槽型輔助積累結(jié)構(gòu)與漂移區(qū)界面處形成多子積累層，構(gòu)成一條電流低阻通道，顯著降低器件比導通電阻。關(guān)斷狀態(tài)，半導體高阻區(qū)承受耐壓。開態(tài)電流大部分流經(jīng)多子積累層，使得比導通電阻幾乎與漂移區(qū)摻雜...
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