技術(shù)編號:7057538
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明提供了一種自觸發(fā)堆疊STSCR-LDMOS的高壓ESD保護電路,屬于電子。包括N個STSCR-LDMOS堆疊單元,所述STSCR-LDMOS堆疊單元包括一個STSCR-LDMOS器件和一個電阻,其中N≥2,襯底上還有N+1個P型重摻雜區(qū)作為保護環(huán)接地。該電路通過第一個STSCR-LDMOS擊穿并觸發(fā)堆疊STSCR-LDMOS,在不增加觸發(fā)電壓的基礎(chǔ)上,有效提高了維持電壓。專利說明自觸發(fā)堆疊STSCR-LDMOS高壓ESD保護電路 [0001 ]...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。