技術(shù)編號：7058836
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開了一種，包括置于半導(dǎo)體基體中的光電二極管、電荷傳輸晶體管、復(fù)位晶體管、源跟隨晶體管、選擇晶體管、漂浮有源區(qū)，還包括第一N型離子區(qū)和第二N型離子區(qū)；第一N型離子區(qū)的一側(cè)位于復(fù)位晶體管的溝道中，另一側(cè)與漂浮有源區(qū)的N+區(qū)相連；第二N型離子區(qū)的一側(cè)位于復(fù)位晶體管的溝道中并與第一N型離子區(qū)相連，另一側(cè)與復(fù)位晶體管漏極有源區(qū)的N+區(qū)相連。在復(fù)位晶體管漏極N+區(qū)與復(fù)位晶體管溝道之間形成勢壘，有效提高了像素的信號擺幅，解決了像素信號擺幅受到復(fù)位電勢限制的問題，...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。