技術編號：7059565
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開了一種50A大電流快恢復二極管的制作方法，包括提供N型半導體硅材料作為半導體襯底；在N型半導體襯底上摻雜N+型雜質；去除半導體襯底一面的N+型雜質層；在暴露出的N-型半導體材料上再雙雜質摻雜P+型雜質；再采用高溫擴散的方法進行重金屬鉑摻雜；進行第一次掩膜光刻；在鈍化槽中刮涂玻璃粉，高溫燒結成型，完成PN結玻璃鈍化；采用真空濺射法，在硅片兩面制作多層金屬化層；進行第二次掩膜光刻；將硅片分割成獨立的管芯；將芯片與引線組件冶金鍵合在一起；采用燒結的方法...
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