技術(shù)編號:7059809
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種背照式CIS產(chǎn)品的制作方法,包括提供半導(dǎo)體襯底,所述半導(dǎo)體襯底正面形成有晶體管,所述晶體管上形成有互連層;對所述半導(dǎo)體襯底背面進(jìn)行減?。辉跍p薄后的半導(dǎo)體襯底的背面進(jìn)行離子注入,在減薄后的半導(dǎo)體襯底中形成高能離子注入?yún)^(qū);在半導(dǎo)體襯底背面形成濾光片。本發(fā)明從半導(dǎo)體襯底背面進(jìn)行離子注入,控制離子注入?yún)^(qū)域的離子劑量、分布形貌,從而有利于CIS工藝穩(wěn)定性和工藝控制。專利說明背照式c IS產(chǎn)品的制作方法 [0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體,尤其涉及一種背...
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