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技術(shù)編號：7060135

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一種具有組分漸變緩沖層的綠光LED結(jié)構(gòu)，包括藍寶石襯底層、GaN成核層、非摻雜GaN層、高溫n型GaN層、InxGa1-xN/GaN多量子阱層和p型GaN層，其特點是在高溫n型GaN層與InxGa1-xN/GaN多量子阱層之間設(shè)置一低溫組分漸變n型InyGa1-yN緩沖層。通過設(shè)置該緩沖層可以緩解InGaN多量子阱發(fā)光層所受到的應(yīng)力，從而提高量子阱結(jié)構(gòu)層的晶體質(zhì)量，降低非輻射復(fù)合，增加綠光LED的發(fā)光效率。專利說明—種具有組分漸變緩沖層的綠光LED結(jié)構(gòu) ...
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