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技術(shù)編號：7060404

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本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管的生長方法及發(fā)光二極管，屬于半導(dǎo)體。所述方法包括依次在襯底上生長低溫緩沖層、高溫緩沖層、N型層、高溫有源層、低溫有源子層、P型層；生長低溫有源子層，包括生長低溫InGaN阱層，低溫InGaN阱層生長溫度低于高溫InGaN阱層生長溫度；開啟N源和In源，形成InN；關(guān)閉In源和開啟Ga源，形成GaN，并且之前形成的InN滲入GaN中生成低溫InGaN壘層；開啟Al源，在低溫InGaN壘層上生長AlGaN壘層，低溫InGaN壘層和Al...
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