技術(shù)編號：7060782
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種，包括以下步驟步驟1在砷化鎵襯底依次外延生長N型限制層、N型波導層、量子阱有源區(qū)、P型波導層、窄帶隙插入層、寬帶隙插入層、P型限制層和P型接觸層；步驟2采用濕法腐蝕或干法刻蝕的方法，將P型接觸層和P型限制層刻蝕成脊型；步驟3在P型接觸層的上表面制作P型歐姆電極；步驟4將砷化鎵襯底減薄、清洗；步驟5在砷化鎵襯底的背面制作N型歐姆電極，形成激光器；步驟6進行解理，在激光器的腔面鍍膜，最后封裝在管殼上，完成制作。本發(fā)明可以大大降低電子泄漏。專利說明 [...
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