技術編號：7061357
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開了一種抗電勢誘導衰減的太陽能電池，包括背面電極、背面電場、P型硅、N型發(fā)射極、第一氧化硅層、氮化硅層、第二氧化硅層和正面電極，所述第一氧化硅層、氮化硅層、第二氧化硅層依次設于所述N型發(fā)射極之上；所述第一氧化硅層的折射率為2.6-3.0；所述氮化硅層的折射率為2.0-2.15，所述第二氧化硅層的折射率為1.4-1.7。相應的，本發(fā)明還提供一種制備上述抗電勢誘導衰減的太陽能電池的方法。采用本發(fā)明，其正面采用三層薄膜的疊加結構，電池的抗電勢誘導性能優(yōu)異...
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