技術(shù)編號：7061577
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請?zhí)峁┝艘环N深PN結(jié)的形成方法與具有該深PN結(jié)的半導(dǎo)體器件。該形成方法包括步驟S1，在硅襯底上外延生長形成外延層，硅襯底中的雜質(zhì)離子與外延層中的雜質(zhì)離子為反型離子；以及步驟S2，將外延層中的雜質(zhì)離子向硅襯底中進行推進，形成推進層，推進層與外延層形成深PN結(jié)。該PN結(jié)的形成方法保證了同一批次的硅圓片內(nèi)同一深度處雜質(zhì)離子濃度的一致性，以及不同批次的硅圓片的摻雜濃度和結(jié)深的一致性；此外，該方法避免了現(xiàn)有技術(shù)中將P型或N型固態(tài)源基片與硅圓片需要分離造成的摻雜物...
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