技術(shù)編號：7062079
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供了后段銅互連工藝中降低通孔間介質(zhì)材料的K值的方法，通過在沉積阻擋層之后，沉積氧化硅薄膜，并在沉積low-k介質(zhì)材料之前將非通孔區(qū)域的氧化硅薄膜刻蝕掉，保留通孔區(qū)域的氧化硅薄膜；這樣，在后續(xù)刻蝕通孔的過程中，由于氧化硅薄膜較硬且刻蝕速率低，從而在氧化硅薄膜側(cè)壁形成斜面，并且在阻擋層側(cè)壁也形成斜面，這兩層斜面共同構(gòu)成通孔斜面；因此，相比于現(xiàn)有工藝制備的通孔斜面，本發(fā)明作制備的通孔斜面的高度和角度均增加，避免了通孔切角太小導(dǎo)致金屬件擊穿漏電的發(fā)生；而且...
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