技術編號:7063220
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體裝置,提供了保持電勢達較長時間且含有具穩(wěn)定電特性的薄膜晶體管的固態(tài)圖像傳感器。當含有氧化物半導體層的薄膜晶體管的截止態(tài)電流被設置為1×10-13A或更少且該薄膜晶體管被用作固態(tài)圖像傳感器的重置晶體管和轉(zhuǎn)移晶體管時,信號電荷存儲部分的電勢被保持不變,所以可改進動態(tài)范圍。當可被用于互補金屬氧化物半導體的硅半導體被用于外圍電路時,可制造具有低功耗的高速半導體器件。專利說明半導體裝置[0001]本申請是申請日為“2010年10月12日”、申請?zhí)枮椤?..
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