技術編號：7063731
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及微電子領域，特別是涉及一種W-CMP后表面平坦性方法。 背景技術隨著超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，集成電路的特征尺寸持續(xù)縮小，集成度越來越高， 后道互連(interconnect)普遍采用立體化和多層化布線。同時，對于130nm以及以下線寬的IC制造工藝，銅互連具有鋁互連不可比擬的諸多優(yōu)點，成為主流互連技術。大馬士革(Damascene)技術是實現(xiàn)多層銅金屬互連的必要技術，包括絕緣介質層淀積；連線槽和接觸孔刻蝕；防擴散金屬層以及銅籽晶層的淀積；電鍍銅工...
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