技術(shù)編號：7063733
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及改善金屬互聯(lián)中的多孔介質(zhì)薄膜密封性的方法、以及采用了該金屬互聯(lián)中的改善多孔介質(zhì)薄膜密封性的方法的金屬互聯(lián)制造方法。背景技術(shù)在半導體制造業(yè)中，低k(介電常數(shù))材料的用途是為減小布線間的電容。特別是在亞45nm技術(shù)平臺下，多孔低k材料作為用超低K(Ultra Lowk)材料可以緩和由于線寬減小導致的導線和介質(zhì)層的電耦合增強效應(yīng)。但同時，這種多孔材料若長久暴露在空氣中，容易吸收空氣中的水汽，使介電常數(shù)增大，進而影響...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。