技術(shù)編號(hào)：7063795
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)當(dāng)在襯底上、尤其是半導(dǎo)體襯底的主表面上生長薄膜以形成半導(dǎo)體器件時(shí)，半導(dǎo)體襯底的主表面暴露于用于形成薄膜的源氣體，同時(shí)加熱半導(dǎo)體襯底。例如,源氣體可以包含III族氮化物半導(dǎo)體的有機(jī)金屬化合物作為陽離子，或者可以包含V族元素作為陰離子。通過將源氣體供應(yīng)到半導(dǎo)體襯底的主表面上，在半導(dǎo)體襯底的主表面上生長薄膜。生長薄膜的上述方法稱為氣相生長方法。氣相生長方法是一種用于外延晶體生長的方式。當(dāng)使用氣相生長方法在襯底上生長薄膜時(shí)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。