技術(shù)編號：7065384
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明，具體指一種工藝簡單、具有大面積的、周期性的納米尺寸的空陣列晶體硅材料的制備技術(shù)，涉及周期性納米結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件制備。材料為厚度400～500μm，單面拋光的晶體硅，納米孔徑為200～500nm,孔徑間距500nm，空洞深度可控范圍500～1500nm。包括準(zhǔn)備晶體硅預(yù)刻蝕樣品，制備單層聚苯乙烯納米球，縮小聚苯乙烯納米球尺寸，沉積金屬鎳，去除聚苯乙烯納米球和刻蝕硅片，去除金屬鎳，去離子水沖凈，然后用N2吹干等步驟。本發(fā)明通過自組裝單層聚苯乙烯納米球制備...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。