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一種具有改進(jìn)型封裝結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):7069985

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本實(shí)用新型公開(kāi)了一種具有改進(jìn)型封裝結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件,所述半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體芯片、引線框架和封裝樹(shù)脂。半導(dǎo)體芯片位于引線框架的載片基島區(qū),所述引線框架包括引腳區(qū),其中第二引腳區(qū)上端連有第二鍵合區(qū)。半導(dǎo)體芯片與第二鍵合區(qū)之間通過(guò)金屬引線電學(xué)相連。所述第二鍵合區(qū)相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)面積更大,從而確保低芯片在封裝時(shí),受金屬引線限制的最大熔斷電流可以有效提升,器件的導(dǎo)通電阻下降,從而最大限度的發(fā)揮芯片實(shí)際電流能力。本實(shí)用新型適用于MOSFET器件與IGBT器件。專利說(shuō)明...
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