技術(shù)編號：7071016
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型涉及半導(dǎo)體器件。本實用新型的一個實施例解決的問題是有效減少接觸電阻，同時基本保持在歐姆接觸部與2DEG層之間的相同的器件尺寸。在一個實施例中，半導(dǎo)體器件包括在半導(dǎo)體基板上的溝道形成層；在所述溝道形成層上的阻擋層；在所述阻擋層和所述溝道形成層之間的界面處形成的二維電子氣層；與所述阻擋層處于被間隔開的關(guān)系的控制電極；以及包含與所述二維電子氣層歐姆接觸并且不平行于溝道寬度方向的多個側(cè)面的第一凹槽結(jié)構(gòu)歐姆電極，其中與所述二維電子氣層歐姆接觸的所述第一凹槽...
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