技術(shù)編號(hào):7077076
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于微納電子學(xué),涉及相變隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片,具體涉及相變隨機(jī)存儲(chǔ)器陣列與CMOS流片外圍電路芯片的集成方法。背景技術(shù)近年來(lái),F(xiàn)lash作為非易失性存儲(chǔ)器的代表,在日常生活中得到廣泛應(yīng)用,手機(jī)、MP3播放器、U盤(pán)、數(shù)碼照相機(jī)等產(chǎn)品中均可見(jiàn)其身影。但是由于Flash技術(shù)在持續(xù)縮小上有一定的局限性,而且信息讀取時(shí)間較慢,擦寫(xiě)次數(shù)只有約IO5次左右,許多先進(jìn)的半導(dǎo)體制作商和科研機(jī)構(gòu)均投入下一代非易失性存儲(chǔ)器的研發(fā)中。目前主要研究的新型非易失存儲(chǔ)器有鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器...
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該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。