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技術(shù)編號(hào)：7081413

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種。背景技術(shù)嵌入式動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展使得大容量動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DRAM)在目前的系統(tǒng)級(jí)芯片 (SOC)中應(yīng)用的非常普遍。大容量嵌入式動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(EDRAM)只能通過(guò)嵌入技術(shù)來(lái)改善SOC 的帶寬以及降低SOC的功耗。傳統(tǒng)的嵌入式動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的每個(gè)存儲(chǔ)單元除了包括晶體管之外，還包括一個(gè)深溝槽電容器結(jié)構(gòu)，電容器的深溝槽使得存儲(chǔ)單元的高度比其寬度大很多， 造成制造工藝?yán)щy。此外，嵌入式動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的制作工藝與CMOS (互補(bǔ)金屬氧化物半...
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