技術(shù)編號(hào):7083820
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型公開了生長在Zr襯底上的LED外延片,包括生長在Zr襯底上的GaN緩沖層,生長在GaN緩沖層上的非摻雜GaN層,生長在非摻雜GaN層上的n型摻雜GaN薄膜,生長在n型摻雜GaN薄膜上的InGaN/GaN量子阱,生長在InGaN/GaN量子阱上的p型摻雜GaN薄膜。GaN緩沖層為在500~700℃生長的GaN緩沖層;非摻雜GaN層為在500~700℃生長的非摻雜GaN層;n型摻雜GaN薄膜為在700~800℃生長的n型摻雜GaN薄膜;InGaN/G...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。