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生長在Zr襯底上的LED外延片的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):7083820

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本實(shí)用新型公開了生長在Zr襯底上的LED外延片,包括生長在Zr襯底上的GaN緩沖層,生長在GaN緩沖層上的非摻雜GaN層,生長在非摻雜GaN層上的n型摻雜GaN薄膜,生長在n型摻雜GaN薄膜上的InGaN/GaN量子阱,生長在InGaN/GaN量子阱上的p型摻雜GaN薄膜。GaN緩沖層為在500~700℃生長的GaN緩沖層;非摻雜GaN層為在500~700℃生長的非摻雜GaN層;n型摻雜GaN薄膜為在700~800℃生長的n型摻雜GaN薄膜;InGaN/G...
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