技術(shù)編號(hào)：7086012
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型的主要目的為提供一種低漏電低正向壓降肖特基二極管包括以N或P型半導(dǎo)體為基片，在上面形成N-或P-外延層，在外延層上形成勢(shì)壘層，再形成金屬陽極，邊緣造型設(shè)置帶有濃度梯度的結(jié)擴(kuò)展終端，有源區(qū)內(nèi)注入小劑量的P或N型雜質(zhì)來提高表面的電阻率，以達(dá)到提高勢(shì)壘高度的作用，兩個(gè)結(jié)在同一次光刻版上完成。本實(shí)用新型應(yīng)用后可采用低電阻率的外延片來制造肖特基二極管，有效地降低了正向壓降，既達(dá)到高壓效果，并提高低漏電低壓降效果。本實(shí)用新型可得到高效率的肖特基勢(shì)壘二極管，與...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。