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技術(shù)編號(hào)：7087038

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本發(fā)明涉及一種具有限定在類金剛石形狀半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的溝道的FinFET器件。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在追求更大的器件密度、更卓越的性能以及更低的成本方面已發(fā)展到了納米技術(shù)工藝節(jié)點(diǎn)，對(duì)制造和設(shè)計(jì)兩者的挑戰(zhàn)已引起了三維設(shè)計(jì)如非平面多柵極晶體管、環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GAA FET)以及鰭狀場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)的發(fā)展。例如，典型的FinFET是用例如在襯底的硅層中蝕刻的從襯底延伸的薄“鰭片”(或鰭片結(jié)構(gòu))制造的。在垂直鰭片中形成FinFET的溝道。在鰭片上方...
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