技術(shù)編號(hào):7089226
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種高密度存儲(chǔ)器裝置及該存儲(chǔ)器裝置的制造方法,是以相變存 儲(chǔ)器材料例如第六族元素及其他可編程電阻材料為基礎(chǔ),特別是有關(guān)于一種電極結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)相變化材料在結(jié)晶態(tài)(低電阻)與非晶態(tài)(高電阻)之間其電阻值呈現(xiàn)很大的區(qū) 另O。電流流經(jīng)相變化材料時(shí)會(huì)設(shè)定或復(fù)位相變存儲(chǔ)器裝置(PCM)。設(shè)定相變存儲(chǔ)器裝置進(jìn) 入結(jié)晶態(tài)可使用中度電流脈沖;欲復(fù)位相變存儲(chǔ)器裝置進(jìn)入非晶態(tài),則使用短周期的大電 流脈沖;讀取相變化材料裝置的狀態(tài)僅需要小電流。因此,相變存儲(chǔ)器的應(yīng)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。