技術(shù)編號：7091406
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。示范性實施例涉及。背景技術(shù)具有2維六邊形碳結(jié)構(gòu)的石墨烯是能夠替代半導體的材料。石墨烯是零帶隙半導體，在室溫下具有l(wèi)OOOOOcn^V—1^的載流子遷移率，其是傳統(tǒng)硅的載流子遷移率的大約100倍。因此，石墨烯可以應(yīng)用于更高速度操作的器件例如射頻(RF)器件。當石墨烯納米帶(GNR)具有IOnm或更小的溝道寬度時，帶隙可以由于尺寸效應(yīng)而形成在GNR中。因而，可以利用GNR來制造能夠在室溫下f呆作的場效應(yīng)晶體管。石墨稀電子器件指的是利用石墨烯的電子器件例如場效應(yīng)...
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