技術編號：7091480
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體，更具體地，涉及用于具有電容器阱摻雜設計的單柵極非易失性存儲器的結構及方法。背景技術在深亞微米集成電路技術中，非易失性存儲器器件由于具有各種優(yōu)點已逐漸成為普及的存儲單元。特別是，當關掉電源時，保存在非易失性存儲器器件中的數(shù)據(jù)不會丟失。非易失性存儲器器件的一個具體實例包括單浮置柵極以保留與所保存數(shù)據(jù)相關的電荷。當實施互補金屬氧化物半導體場效應晶體管(CM0SFET)技術時，單浮置柵極NVM設計成包括位于P型阱中的場效應晶體管和位于n型阱中的電...
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