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技術(shù)編號：7091483

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本發(fā)明涉及LED，具體的說是ー種薄膜LED芯片器件及其制造方法及應(yīng)用。背景技術(shù)現(xiàn)有的薄膜LED芯片器件，是在傳統(tǒng)的倒裝結(jié)構(gòu)芯片的基礎(chǔ)上，利用準分子激光 剝離襯底技術(shù)將生長GaN材料的襯底(藍寶石襯底或SiC襯底)剝離，露出LED薄膜結(jié)構(gòu)。請參閱圖1，傳統(tǒng)的薄膜LED芯片器件具有以下問題倒裝結(jié)構(gòu)芯片中用于結(jié)合GaN外延層薄膜I與倒裝基板3的金屬凸點2之間存在未填充的空隙4，GaN外延層薄膜I部分缺乏有效支撐及熱沉，這樣在進行激光剝離エ藝時容易由于瞬間的機械振...
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