技術(shù)編號(hào):7094712
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體處理技術(shù),特定來(lái)說(shuō),涉及一種用于填充互連結(jié)構(gòu)的方法及設(shè)備。背景技術(shù)可使用鑲嵌處理(半導(dǎo)體處理技術(shù))在集成電路上形成互連。鑲嵌處理涉及在形成于電介質(zhì)層中的溝槽與導(dǎo)通孔中形成嵌入金屬線。在典型的鑲嵌工藝中,在半導(dǎo)體晶片襯底的電介質(zhì)層中蝕刻溝槽與導(dǎo)通孔的圖案。接著,通過(guò)(舉例來(lái)說(shuō))物理氣相沉積(PVD)工藝將例如鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)或TaN/Ta雙層的勢(shì)壘層沉積到晶片表面上。接著,通常使用電鍍工藝用銅填充所述溝槽與導(dǎo)通孔。由于電鍍通常需要...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。