技術(shù)編號：7095663
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。場效應(yīng)晶體管包括形成于有效單元區(qū)域中的晶體管單元和形成于邊緣區(qū)域中的邊緣結(jié)構(gòu)。該邊緣結(jié)構(gòu)包含多個隔離單元，每個隔離單元包括第一型溝槽和位于該第一型溝槽底部下方的保護(hù)環(huán)區(qū)。每個第一型溝槽的側(cè)壁和底部布滿介電層，并填充有第一導(dǎo)電側(cè)墻、第二導(dǎo)電側(cè)墻和位于第一導(dǎo)電側(cè)墻和第二導(dǎo)電側(cè)墻之間的隔離介電層。該邊緣結(jié)構(gòu)不僅能很好的將邊緣區(qū)域與有效單元區(qū)域隔離，而且具有降低的邊緣區(qū)域面積和制造成本，并解決了槽型隔離單元易于擊穿的問題，提升了反向擊穿電壓和其工作穩(wěn)定性。專利說明...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。