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技術(shù)編號：7095987

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本公開涉及多位(multi-bit)存儲(chǔ)元件、包括多位存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)裝置及其制造方法。背景技術(shù)非易失性存儲(chǔ)裝置的示例包括電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)、磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)、鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)、相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PRAM)等。在它們之中，RRAM為基于材料的電阻變化存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的電阻式存儲(chǔ)裝置。在RRAM中，當(dāng)施加到電阻變化材料的 電壓大于或等于設(shè)定電壓時(shí)，電阻變化材料的電阻從高電阻狀態(tài)變?yōu)榈碗娮锠顟B(tài)(也稱為“0N狀態(tài)”)。當(dāng)施加到電阻變...
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