技術(shù)編號(hào):7098940
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。背景技術(shù) 可以通過(guò)結(jié)合兩個(gè)或更多層制造復(fù)雜的半導(dǎo)體襯底。一類這樣的工程化襯底是絕緣體上半導(dǎo)體類型的襯底,其中,將頂端半導(dǎo)體層粘合在機(jī)械支撐層上,兩者之間具有介電層。對(duì)于頂端半導(dǎo)體層,可以采用諸如InGaN (氮化銦鎵)的III/V半導(dǎo)體材料。關(guān)于用于機(jī)械支撐的材料,通常采用藍(lán)寶石(這種情況下)。電子學(xué)、微電子學(xué)、光學(xué)電子學(xué)或光電池領(lǐng)域中,采用這種半導(dǎo)體襯底。為了制造這種半導(dǎo)體襯底,例如InGaNOS (粘合在藍(lán)寶石機(jī)械支撐上的氮化銦鎵層)襯底...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。