技術(shù)編號(hào)：7099264
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還涉及所述半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的制作工藝方法。背景技術(shù)參見圖1所示，現(xiàn)有的以氮化鈦?zhàn)鳛樯想姌O的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其電阻特性顯示，起始電阻很小，僅有幾十歐姆(圖1顯示僅為35歐姆)，低阻態(tài)的電阻僅有200歐姆左右；變阻特性性能也不夠理想，隨著擦寫次數(shù)的增加，高阻態(tài)的電阻明顯下降。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，能顯著提高起始電阻的阻值，并具有良好的變阻特性；為此，本發(fā)明還要涉及...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。