技術(shù)編號(hào)：7100035
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在微波/毫米波帶中使用的半導(dǎo)體裝置，特別涉及能夠有效地進(jìn)行散熱的半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)近年來(lái)，作為雷達(dá)或通信基礎(chǔ)設(shè)施用的高輸出放大器，使用了氮化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體裝置增加。氮化物半導(dǎo)體與以往的Si或GaAs相比較，飽和電子速度高并且絕緣擊穿電場(chǎng)高，所以，有希望作為高頻高輸出器件用材料。在以往的高頻高輸出器件用封裝中，在基體構(gòu)件上對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行芯片焊接，經(jīng)由導(dǎo)線或引線輸入輸出高頻信號(hào)。在封裝上部設(shè)置蓋，對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行氣密密封。由晶體管所產(chǎn)生的熱經(jīng)由...
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