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技術(shù)編號：7100168

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種。背景技術(shù)絕緣柵雙極型晶體管(Insulated-GateBipolar Transistor, IGBT),是場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極型晶體管(BJT)相結(jié)合的產(chǎn) 物。其主體部分與BJT相同，也有集電極和發(fā)射極，而控制極的結(jié)構(gòu)卻與MOSFET相同，是絕緣柵結(jié)構(gòu)，也稱為柵極。絕緣柵雙極型晶體管兼有MOS晶體管的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點，因此成為大電流開關(guān)的主流之一。圖I示出了現(xiàn)有技術(shù)中絕緣柵雙極型晶...
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